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2026年5月8日，美国国际贸易委员会（ITC）就备受业界关注的第337-TA-1414号调查作出最终裁定，英诺赛科（Innoscience）在涉及其氮化镓（GaN）功率器件的专利诉讼中取得全面胜利。ITC全体委员一致认定，英诺赛科当前在美国销售的全部GaN功率器件产品，未侵犯英飞凌（Infineon）主张的两项核心专利。这一裁决彻底扫清了英诺赛科产品在美国市场的准入障碍，确认了其继续在美国进口和销售的合法权利。

ITC的裁定明确，英诺赛科的现有产品未侵犯英飞凌的美国第9,070,755号专利（涉及电极设计）和第9,899,481号专利（涉及封装设计）。委员会仅认定，第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，但仅被英诺赛科早已停止生产和销售的历史旧产品所侵权。因此，与此相关的有限排除令对英诺赛科当前及未来的美国业务“不具有实质影响”。

此次胜诉不仅是英诺赛科一家的胜利，更是中国第三代半导体产业在全球知识产权博弈中的一次关键突破。它有力证明了英诺赛科的技术源于独立自主的研发与创新，而非简单的模仿。ITC的终裁挫败了竞争对手试图通过诉讼手段限制合法竞争的企图，为国产GaN器件在美国乃至全球市场的拓展铺平了道路。

裁决为功率半导体行业的竞争确立了清晰基调，市场的未来应由更优的性能、更高的效率来决定，而非无端的法律缠斗。随着英诺赛科继续稳定地向全球客户供货，此次胜利将增强下游客户采用国产高性能GaN方案的信心，进一步推动氮化镓技术在快充、数据中心、新能源等领域的普及。